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Achieving visible light-driven hydrogen evolution at positive bias with a hybrid copper–iron oxide| TiO2-cobaloxime photocathode
使用混合銅-鐵氧化物TiO 2 -鈷肟光電陰極在正偏壓下實現可見光驅動的析氫
來源:Green Chem., 2020, 22,3141
摘要核心發現
本研究開發了一種新型混合光陰極材料 CuFe?O?|TiO?-CoHEC,通過三重協同設計實現高效可見光驅動析氫:
1.性能突破:
中性pH條件下,起始光電流電位達 +860 mV vs. RHE,法拉第效率 54-88%(表1);

2.材料創新:
溶膠-凝膠法制備地球富集元素銅鐵氧化物(CuFe?O?)光吸收層,原子層沉積(ALD)生長非晶TiO?保護層(8.3 nm),嫁接鈷肟分子催化劑(CoHEC);
3.機制解析:
TiO?層抑制銅流失和催化劑脫落,CoHEC提升質子還原動力學(圖1電子傳遞路徑示意)。

研究目的
1.替代貴金屬體系:
開發全地球富集元素(Cu/Fe/Co/Ti)光陰極,解決傳統Pt基或III-V族材料成本高、穩定性差的問題;
2.突破穩定性瓶頸:
通過TiO?界面工程抑制銅鐵氧化物光腐蝕(正文4.3節);
3.實現中性條件高效析氫:
在pH 6.7磷酸鹽緩沖液中實現高起始電位析氫,避免強酸/強堿環境對設備的腐蝕。
研究思路
1. 光陰極層級構建(三步法)
光吸收層:溶膠-凝膠法合成CuFe?O?薄膜(320±40 nm),納米結構化提升比表面積(圖3Ad);

保護層:ALD沉積8.3 nm非晶TiO?(圖3Ae),抑制銅流失(EDX證實Cu:Fe比從1:1.3→1:5);
催化層:CoHEC分子催化劑通過羧基錨定,表面濃度0.085 nmol/cm2(XPS驗證)。
2. 性能優化路徑
結構調控:添加F108模板劑構建納米結構CuFe?O?STRUCT,光電流提升至85 μA/cm2(圖4B);

界面工程:TiO?層使法拉第效率從6%→88%(圖6對比);

催化劑篩選:CoHEC的軸向吡啶配體促進電子轉移,TON達90±30(表1)。
關鍵數據及研究意義
1. 材料特性數據(圖3-4)
數據:
SEM顯示納米結構CuFe?O?STRUCT厚度320±40 nm(圖3Ad);
Tauc圖譜證實1.6 eV間接帶隙(適合可見光吸收,圖4A);
莫特-肖特基測試確定平帶電位+0.72 V vs. RHE。
意義:
納米結構設計提升電荷分離效率,帶隙位置匹配質子還原能級(-0.7 V vs. RHE)。
2. 光電性能數據(圖5-6)

數據:
LSV顯示CoHEC修飾使光電流提升4倍(-60 μA/cm2 @0.4 V,圖5);
TiO?保護層使法拉第效率從6%→88%(圖6A vs. 6B);
意義:
分子催化劑降低析氫過電位,TiO?層抑制銅還原副反應(XPS證實Cu2?→Cu?轉化)。
3. 穩定性數據(圖6)
數據:
未保護電極8分鐘內失活(圖6A),TiO?保護體系穩定運行20分鐘(圖6B);
失活后ICP檢測鈷含量歸零,證實催化劑脫落(圖S8)。
意義:
ALD沉積非晶TiO?可有效隔絕電解質腐蝕,為中性環境光電極設計提供新策略。
丹麥Unisense電極的核心價值
技術原理
原位高精度監測:
采用H?-NP706731氫探針(實驗部分),極化電壓1 V vs. Ag/AgCl,檢測限nmol/L級;
動態過程解析:
秒級時間分辨率捕捉H?生成動力學(圖6配套數據)。
關鍵發現
1.法拉第效率精準量化:
通過H?累積量反算電子利用率(例:7.6±2 nmol H? → 54% FE),揭示TiO?層提升選擇性的機制(正文4.3節);
2.失活機制解析:
H?生成速率與光電流同步衰減(圖6B),結合ICP證實催化劑脫落是主因;
3.競爭反應監測:
低FE值(未保護體系僅6%)暴露銅還原副反應:
CuX2++2eX?
CuX0
消耗本用于析氫的電子。
不可替代性
傳統方法局限:
氣相色譜需破壞密封體系,質譜無法區分溶解H?/氣相H?;
Unisense優勢:
原位、連續、定量監測為中性pH光電極穩定性研究提供金標準。
結論
1.材料設計突破:
CuFe?O?|TiO?-CoHEC三重結構實現起始電位+860 mV vs. RHE,為中性條件最高紀錄之一;
2.機制創新:
TiO?保護層通過抑制銅流失將FE從6%提升至88%,CoHEC催化劑提供質子還原活性位;
3.Unisense電極價值:
其秒級響應與nmol級檢測限是解析光電極衰減機制的關鍵工具,尤其適用于密閉微反應體系的定量研究。
應用方向:該設計可拓展至CO?還原光電陰極,為溫和條件下人工光合作用系統提供新范式。
圖示關聯:
圖1:電子傳遞路徑與能級示意圖
圖3:CuFe?O?結構表征(SEM/XRD)
圖4:光吸收特性與電化學行為(Tauc圖譜/LSV)
圖5:CoHEC修飾提升光電流響應
圖6:穩定性對比(TiO?保護效應)
表1:性能參數匯總(FE/TOF/TON)